大气与真空下功率VDMOS散热特性研究

摘要：

针对功率VDMOS真空下壳温显著升高的问题,对安装叉指形散热器的功率VDMOS进行了三维建模和温度场模拟分析,研究了其在大气与真空环境下的散热模型.真空环境下功率为10 W、散热片面积为278.42 cm2时,VDMOS壳温较大气下升高了89.8℃.找出了VDMOS大气及真空下壳温与工作功率及散热器表面积之间存在的关系,并进行了相应实验,利用公式计算出的器件壳温与实验壳温的最大差值,大气下不超过2℃、真空下不超过3℃,皆未超过5%,该公式可以作为功率VDMOS应用及热设计的参考依据.分析了真空环境下,功率VDMOS壳温显著升高的原因,并提出了改善措施.

关键词：热分析、功率VDMOS、真空、可靠性、热设计

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：高等学校博士学科点专项科研基金20091103110006

在线出版日期：2011-11-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：510-515