期刊专题

10.3969/j.issn.1003-353x.2011.07.001

平面电容传感器在探测材料损伤中的研究

引用
通过ANSYS软件分析了平面电容传感器电容量与极板宽度和极板间距的关系,并选择合适的平面电容传感器探头的尺寸.针对非金属材料表面下水损伤的检测,提出了一种结构简单、操作方便的三电极平面电容传感器检测法.根据平面电容传感器检测材料相对介电常数的变化,深入研究了非金属材料表面下水柱损伤深度和水柱损伤区域大小对电容量的影响.仿真和初步实验结果表明,在一定范围内,测得的电容值随着水柱损伤深度和损伤区域大小的变化而变化.

三电极平面电容传感器、ANSYS、损伤深度、损伤区域、探测

TP212.41(自动化技术及设备)

国家自然科学基金;电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金

2011-11-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

497-500,515

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

2011,(7)

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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
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