一种低功耗无电容型LDO的设计

摘要：

提出了一种片上集成的低功耗无电容型LDO(low drop out)电路.该电路采用折叠型cascode运放作为误差放大器,通过消除零点的密勒补偿技术提高了环路稳定性;并在电路中加入了一种新的限流保护结构以保证输出电流过大时对LDO的输出进行保护.此外,在电路中加入了省电模式,可在保持LDO输出1.8 V情况下节省大于70%的功耗.该设计采用HHNEC 0.13μm CMOS工艺,仿真结果显示:在2.5～5.5 V电源供电、各个工艺角及温度变化条件下,LDO输出的线性调整率小于2.3 mV/V,负载调整率小于14μV/mA,温度系数小于27×10-6/℃;在正常工作模式下,整个LDO消耗85μA电流;在省电模式下仅消耗23μA电流.

关键词：密勒补偿、限流保护、省电模式、低功耗

所属期刊栏目：36

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2011-08-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：316-321