阳极氧化铝工艺用于提高LED的出光效率

摘要：

使用纳米尺度的多孔阳极氧化铝(anodic aluminum oxide,AAO)作为刻蚀掩膜,刻蚀氧化铟锡(indium-tin oxide,ITO),形成纳米图形化表面,对于发光二极管的出光效率有明显的提升作用.AAO纳米掩膜的制备已广为报道,是纳电子学研究中常用的模板之一,工艺简单易行、可控性好.使用电感耦合反应离子刻蚀方法成功将纳米多孔结构转移到ITO上,形成ITO纳米结构.纳米图形化结构的引入使得器件有效减小了内部的全反射,在电压没有大幅提高,注入电流350 mA时,光学输出提高了7%.纳米尺度粗化结构LED与传统结构LED对比,提升了器件的外量子效率.

关键词：发光二极管、氮化镓、阳极氧化铝、外量子效率、纳米图形化表面

所属期刊栏目：36

分类号：TN312.8(半导体技术)

在线出版日期：2011-08-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：283-286