10.3969/j.issn.1003-353x.2011.04.004
晶体硅太阳能电池激光隔离pn结的研究
在晶体硅太阳能电池生产过程中,为了避免过低的填充因子,电池边缘多余的pn结必须去掉.首先利用激光温度场在硅材料中的分布,得出硅片在纳秒级脉冲激光作用下的融化峰值功率阈值.然后根据此阈值选择合适的激光器进行晶体硅太阳能电池激光隔离pn结的研究.通过激光隔离槽的3D形貌及测试太阳能电池的反向电流和并联电阻寻找最佳激光隔离的工艺参数.通过实验证明,纳秒级脉冲激光隔离能达到并超过化学隔离及等离子隔离的效果,为太阳能电池pn结隔离提供一种经济、环保的方案.
晶体硅太阳能电池、激光隔离、纳秒激光、并联电阻、漏电
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TM914.4+1
2011-08-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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269-272