基于表面势的非晶IGZO薄膜晶体管分析模型

摘要：

报道了一种适于模拟n沟道非晶IGZO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的直流I-V特性的分析模型.该模型充分考虑了深能级类受主态对自由电子的捕获,并将表面势的概念引入a-IGZO TFT结构.在分析器件能带结构和载流子输运的基础上,参考Si基MOSFET中表面势模型的分析方法,利用半导体-绝缘体界面电荷的泊松方程表达,并结合能带-电压关系,导出了器件饱和区和非饱和区的I-V解析表达式.通过Matlab编程模拟了a-IGZO TFT的转移特征曲线和输出特征曲线,对文献中实验数据进行拟合发现,提出的模型与实验数据均能很好地吻合.该模型结构简明,所包含的参数物理意义明确,有很强的实用性.

关键词：非晶IGZO、薄膜晶体管、表面势、态密度、解析模型

所属期刊栏目：36

分类号：TN321+.5(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;西北工业大学基础研究基金

在线出版日期：2011-08-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：257-260