重掺杂直拉硅单晶氧化诱生缺陷的无铬腐蚀研究

摘要：

采用无铬和含铬两种溶液共同腐蚀不同型号、不同掺杂剂和不同晶向的重掺单晶样品,研究如何更好地使用无铬腐蚀液显示重掺杂晶体氧化诱生缺陷.实验表明反应过程中温度控制在25～30℃,腐蚀液中适当增加缓冲溶剂,可以很好地控制表面腐蚀速度.实验还发现,对于<100>重掺样品,使用有搅拌的改良Dash无铬溶液显现的损伤缺陷密度低于有铬择优腐蚀液.而对于<111>重掺样品,未见明显差异.最后,探讨了在使用无铬溶液显示重掺Sb晶体缺陷时,缺陷难显现,而且密度低的原因.

关键词：重掺硅、单晶、无铬腐蚀、氧化诱生层错、检测

所属期刊栏目：35

分类号：TN304.12(半导体技术)

资助基金：国家科技重大专项;国家科技重大专项

在线出版日期：2011-03-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1178-1182