ULSI硅衬底CMP速率稳定性的研究

摘要：

介绍了ULSI硅衬底的抛光工艺,并对其抛光机理进行了理论分析.通过对抛光液循环使用过程中CMP速率稳定性及其影响因素进行深入系统的分析,得出pH值、抛光温度和黏度等因素的变化是影响抛光速率稳定性的主要原因.并提出改进方案:控制好温度范围和流量的改变,以及循环中适当增加新的抛光液.为CMP速率稳定性的研究提供了有意义的借鉴.

关键词：化学机械抛光、硅衬底、去除速率、循环抛光、稳定性

所属期刊栏目：35

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家科技重大专项

在线出版日期：2011-03-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1167-1169,1182