超突变结变容管的设计模型

摘要：

通过建立一种超突变结变容二极管的杂质浓度分布模型,并基于求解一雏泊松方程、雪崩击穿条件方程和电阻计算公式,推导了该模型的C-V特性、VBR、Rs和Q值,设计了用于分析该模型的模拟软件,阐述了模拟软件的运行流程.基于该模型和模拟软件,采用外延-扩散的方法研制了一种硅超突变结变容二极管,采用C-V法测量了外延材料的杂质浓度分布,结果表明材料的浓度分布与模拟结果相符.研制的变容二极管的主要参数:击穿电压VBR为50～55 V;电容变化比(C_4v/C_8v为2.42～2.44;VR=-4 V,f=50 MHz时的品质因素Q为150～180,实测参数与模拟结果吻合得很好.设计模型和模拟软件得到了验证.

关键词：超突变结、外延-扩散法、C-V特性、击穿电压、品质因素

所属期刊栏目：35

分类号：TN312.1(半导体技术)

在线出版日期：2011-03-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1158-1161