HfO2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究

摘要：

为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层.相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性.因此利用TaON作为Ge MOS器件的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的高k/Ge界面质量有着重要的意义.

关键词：锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管、氮氧钽铪界面层、高介电常数介质、散射、迁移率

所属期刊栏目：35

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;江苏省高等学校自然科学研究项目;科研启动基金

在线出版日期：2011-03-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1149-1152