基于SOI技术的MEMS超声分离器制备方法研究

摘要：

基于简正模式的MEMS超声分离器对分离腔的侧壁垂直度、深度均匀性以及表面平整度等要求较高,结合IC工艺重点探讨、研究了超声分离器腔体制作方法.提出将SOI(silicon on insulator)片作为刻蚀基底,采用等离子体干法刻蚀、硅/玻璃键合以及激光热加工等技术制备分离器,成功制备出腔体深度分别为137μm和200μm的分离器,腔体深度误差均在±2μm以内,腔体表面粗糙度Ra＜10 nm,腔体侧壁垂直度达83°.为MEMS超声分离器的制备提供了一种简便、高效的工艺方法.

关键词：干法刻蚀、SOI片、MEMS超声分离器、侧壁垂直度、IC工艺

所属期刊栏目：35

分类号：TH703;TN304.12(仪器、仪表)

资助基金：国家自然科学基金50675031

在线出版日期：2011-03-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1145-1148,1173