一种新型过温保护电路

摘要：

采用CSMC 0.5 μm工艺,设计了一种新型过温保护电路.从检测温度和控制温度两方面考虑,通过优化电路结构,提出一种新型系统解决方案.在不引入热振荡的前提下,实现稳定电路温度和输出关断信号的双重功能.采用Cadence的Spectre仿真器进行仿真,结果表明,温度在-50～200℃时,PTAT电压以10.5 mV/℃变化,过温保护开启温度为105℃,具有滞迟功能.成功流片后对芯片进行测试,结果显示,在20～130 ℃内,PTAT电压灵敏度约为10 mV/℃,过温保护开启温度的实测值与仿真值的偏差小于3℃,滞迟范围为20℃.该保护电路是开关电源IP的重要组成部分,在设计过程中时刻考虑其工艺健壮性和可重用性的约束条件,确保其可移植性.

关键词：功率密度、过温保护、热滞回、与绝对温度成正比、健壮性

所属期刊栏目：35

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：兰州市科技发展计划2009-1-1

在线出版日期：2010-12-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1020-1023