L波段0.9 mW CMOS LNA的分析与设计

摘要：

给出了一种采用Γ型输入匹配网络的源简并共源低噪声放大器电路结构,分析了在低功耗情况下,高频寄生效应对低噪声放大器(LNA)输入阻抗及噪声特性的影响,并采用此结构设计了一款工作于L渡段的低功耗低噪声放大器.采用CMOS 0.18μm工艺,设计了完整的ESD保护电路,并进行了QFN封装.测试结果表明.在1.57 GHz工作频率下,该低噪声放大器的输入回波损耗小于-30 dB,输出回波损耗小于-14 dB,增益为15.5 dB,噪声系数(NF)为2.4 dB,输入三阶交调点(IIP3)约为-8 dBm.当工作电压为1.5 V时,功耗仅为0.9 mW.

关键词：低噪声放大器、低功耗、阻抗匹配、互补型金属氧化物半导体、寄生效应

所属期刊栏目：35

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）2009AA12Z314

在线出版日期：2010-12-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1003-1006