直拉法生长Si1-xGex单晶的数值模拟

摘要：

利用数值模拟技术对Si1-xGex单晶生长过程中的热传输和温度分布情况进行了模拟分析,并以此为条件对晶体生长过程中不同阶段下,不同埚转速度对晶体生长稳定性的影响进行了对比分析,获得了相应的数据.对优化晶体生长条件参数、提高晶体生长稳定性和晶体质量具有较好的指导意义.

关键词：数值模拟、Si1-xGex单晶、直拉法、湍流

所属期刊栏目：35

分类号：O782.5(晶体生长)

在线出版日期：2010-12-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：989-993