SiG高温氧化的研究

摘要：

热氧化是碳化硅晶片工艺中一种常用的工艺,但基于硅工艺的氧化温度一般都相对较低,此温度下,碳化硅氧化缓慢,在很多情况下很难满足工艺需求.利用新设计的高温氧化设备对碳化硅晶片进行不同温度下的氧化实验.实验结果显示,高温下,碳化硅氧化速度加快,温度的增加对氧化速度影响极大,以1 200℃时的氧化速率为基准,1 250℃时的氧化速率是1 200℃时的1.5倍;1 300℃下的氧化速率能达到1 200℃的2倍;而在1 350 ℃时,氧化速度已经将近1 200 ℃时的3倍.

关键词：碳化硅、微波、功率器件、氧化

所属期刊栏目：35

分类号：TB304.24(工程材料学)

在线出版日期：2010-12-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：980-982