期刊专题

10.3969/j.issn.1003-353x.2010.10.006

TiO2薄膜的制备及其压敏特性研究

引用
对热氧化制备的TiO2薄膜的低压压敏特性进行了研究.首先利用直流磁控溅射方法在重掺Si衬底上沉积一层金属钛膜,然后在退火炉中热氧化得到TiO2薄膜.XRD分析结果表明,Ti金属膜热氧化所得的TiO2薄膜为金红石结构,当热氧化温度600~800 ℃时呈现(200)择优取向性.I-V测试结果表明,择优取向的TiO2薄膜相对非择优取向的TiO2薄膜具有更高的压敏阈值电压.进一步分析表明,阈值电压与择优取向性的关系起源于薄膜厚度的变化.

二氧化钛、薄膜、压敏特性、择优取向、厚度

35

TN304.93(半导体技术)

国家自然科学基金;浙江省科技计划

2010-12-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

973-975

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

35

2010,35(10)

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