RF LDMOS功率器件研制

摘要：

基于ISE TCAD模拟软件对RF LDMOS器件的工艺流程和器件结构进行了优化设计,采用带栅极金属总线的版图结构降低栅电阻,同时简化了LDMOS器件的封装设计.通过实际流片和测试分析,重点讨论了漂移区注入剂量和漂移区长度对LDMOS器件的转移特性、击穿特性、截止频率及最大振荡频率的影响.测试结果表明该器件的阈值电压为1.8 V,击穿电压可达70 V,截止频率和最大振荡频率分别为9 GHz和12.6 GHz,并可提供0.7 W/mm的输出功率密度.

关键词：射频LDMOS功率器件、击穿电压、栅极金属总线、截止频率、最大振荡频率

所属期刊栏目：35

分类号：TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2010-12-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：968-972