LED受ESD冲击前后性能的变化分析

摘要：

对GaN基蓝光LED施加ESD冲击,比较LED在受到ESD冲击前后I-V特性曲线、-5 V反向漏电流以及光色电特性的变化发现在I-V特性曲线和-5 V反向漏电流有明显变化的情况下,LED的光色电特性没有明显变化.选择在受到ESD冲击后反向漏电流值为不同数量级的LED作为样品进行加速老化实验,比较样品在加速老化实验前后的I-V特性曲线、光色电特性等参数的变化.通过比较样品之间的光衰减速率,发现反向漏电流大于1 mA时,样品的光衰减明显加快.

关键词：GaN、基蓝光LED、静电放电、I-V特性、反向漏电流、光色电特性、加速老化实验

所属期刊栏目：35

分类号：TN364.2;TN306(半导体技术)

资助基金：上海市科委项目09DZ1141504

在线出版日期：2010-12-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：957-960