X波段4位数控移相器MMIC研究

摘要：

采用0.25μm GaAs FET芯片工艺成功制作了X波段4位数控移相器MMIC,对该数控移相器MMIC集成电路的设计、工艺制作过程做了阐述,并给出了实际测试参数.电路设计采用了高低通滤波器式移相器拓扑,串联FET与并联FET组合的电路方式.结果表明,在7.5～8.7 GHz频段内插入损耗≤7 dB,电压驻波比≤1.8∶1,开关时间≤30 ns,移相精度22.5°±2°,45°±3°,90°±3°,180°±3°,所有状态均方根移相误差≤5,控制电压-5 V或0 V.

关键词：X波段、数控移相器、插入损耗、移相精度

所属期刊栏目：35

分类号：TN623;TN454(电子元件、组件)

在线出版日期：2010-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：831-833,851