一种多输出的快速高电源抑制比带隙基准

摘要：

设计并实现了一种简单的、多输出的带隙基准电路,利用pnp型双极型晶体管作为射极跟随器驱动带隙基准,工作电流由与绝对温度成正比的电流源提供,并且设计了启动电路.基于CSMC 0.5μm工艺对电路进行了优化,仿真表明在全温度范围内基准电压变化2.72 mV,低频电源抑制比高于-100 dB,输出建立时间10μs;对降压型DC-DC电源芯片的直流和交流测试表明,基准工作稳定可靠.

关键词：带隙基准、多输出、建立时间、电源抑制比

所属期刊栏目：35

分类号：TN492(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：中央高校基本科研业务费专项;长安大学基础研究支持计划专项

在线出版日期：2010-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：816-818