GaAs集成电路辐照效应试验研究

摘要：

GaAs集成电路因其良好的电性能和抗辐射能力,广泛应用于各领域,尤其是航天航空方面.电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,因此对3 bit GaAs加权相加电路进行了全面的辐照效应试验技术研究,主要对该电路进行中子、γ总剂量和γ剂量率辐照试验研究,对GaAs集成电路的耐辐照性进行了探讨,为建立中等规模耐辐射GaAs IC的电路设计、工艺制造和测试技术平台奠定了基础.

关键词：砷化镓、集成电路、抗辐射、辐射效应、试验

所属期刊栏目：35

分类号：TN820.1(无线电设备、电信设备)

在线出版日期：2010-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：803-805