国产半导体器件长期贮存试验研究

摘要：

分析了在北方实验室条件下,贮存25年的国产商用高频小功率晶体管的特性与可靠性,通过对10批共1460只器件的试验、检测,并与25年前的原始数据进行对比分析,发现了贮存器件存在直流放大倍数(HFE)退化、内引线开路、外引线可焊性失效三种失效模式,并对其失效原因、失效机理进行了分析.在考虑到现代技术可以消除的因素(用充干N2封装或已焊接使用),预计80年代的国产商用高频小功率晶体管贮存失效率水平小于10-7.用贮存25年的实物揭示了国产半导体器件贮存存在的主要失效模式,为国产半导体器件提高贮存可靠性提供了真实可靠的依据.

关键词：长期贮存、可靠性、失效率、可焊性、水汽含量

所属期刊栏目：35

分类号：TN306(半导体技术)

在线出版日期：2010-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：800-802