RPCVD生长SiGe薄膜及其性能研究

摘要：

利用应用材料公司外延设备,在Si(001)衬底上,通过RPCVD方式生长出完全应变、无位错的SiGe外延层.通过X射线衍射和原子力显微镜测试技术,得到了外延层Ge摩尔分数、外延层厚度、生长速率以及表面粗糙度等参数,研究了运用RPCVD方法制备的应变SiGe外延层的生长特性以及薄膜特性.结果表明,在660℃所生长的薄膜,其XRD图像均出现了Pendelossung条纹,表明薄膜质量较好.Ge摩尔分数高达16.5%.薄膜表面粗糙度RMS在0.3～0.6nm.

关键词：减压化学气相沉淀、锗硅、外延、应变薄膜、表面粗糙度、生长速率

所属期刊栏目：35

分类号：TN304.1(半导体技术)

在线出版日期：2010-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：791-793,822