SiC MESFET反向截止漏电流的研究

摘要：

给出了一种减小SiC MESFET栅漏反向截止漏电流的工艺方法,通过采用LPCVD淀积厚SiO2和高温氧化工艺,使器件的性能得到一定的提升.从实验数据看出,器件在S波段工作时,器件的反向截止漏电流大幅度下降,且分散性得到改善,其功率附加效率和功率增益也分别提高了10%和1.5 dB.该方法充分发挥了SiC材料能形成自身氧化层的优势,结合Si工艺的特点,减小了氧化层的缺陷,并在一定程度上减小了器件的寄生电容.

关键词：反向截止漏电流、碳化硅金属外延半导体场效应晶体管、氧化、低压化学气相淀积

所属期刊栏目：35

分类号：TN386.3(半导体技术)

在线出版日期：2010-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：784-786