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10.3969/j.issn.1003-353x.2010.08.009

GaAs大功率器件内匹配技术研究

引用
介绍了GaAs大功率器件内匹配技术的基本原理,包括匹配电路原理、内匹配元件的参数计算方法等.以C波段40 W大功率器件为例讲述了内匹配技术在GaAs功率器件设计中的应用.通过大信号建模获得大栅宽器件模型,通过ADS软件进行内匹配电路参数的优化计算.通过电路制作及调试,实现了大功率器件的性能.经测试,当器件Vds=9 V时,在5.2~5.8 GHz频段内,输出功率Po≥40 W,功率增益Gp≥9 dB.测量值和设计值基本吻合.

内匹配技术、大功率、砷化镓场效应晶体管、大信号模型

35

TN386.3(半导体技术)

2010-09-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

780-783

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

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2010,35(8)

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