计算机硬盘基片的化学机械清洗技术研究

摘要：

目前,CMP技术对计算机硬盘基片(盘片)进行抛光,盘片表面粗糙度达到原子级平整,抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP最终技术水平的高低.采用静态浸泡实验以及浸泡、擦洗、超声清洗实验,结合一系列的表面微观分析,研究了盘片CMP后清洗过程中的化学作用、机械作用以及清洗剂、清洗方式等物理化学要素对CMP后清洗效果的影响.结果表明,CMP后清洗是一种机械作用、化学作用等综合作用的过程.采用优化的清洗工艺及清洗剂,得到了低腐蚀、高洁净、平整的硬盘基片表面.

关键词：化学机械抛光、化学机械清洗、硬盘基片、原子级平整、腐蚀

所属期刊栏目：35

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;上海市教委重点学科建设项目第五期

在线出版日期：2010-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：757-760