碱性条件下硬盘NiP基板抛光速率正交试验分析

摘要：

利用单面抛光机和SiO2碱性抛光液进行了以硬盘NiP基板CMP去除速率为考核指标的工艺试验.针对抛光速率是受各个工艺因素共同影响这一特性,应用正交试验方法分析了CMP中5个重要工艺参数(抛光压力、抛光液流量、抛光盘转速、抛光液浓度,氧化剂质量分数)对硬盘NiP基板抛光去除速率的影响规律,并结合抛光机理对其进行了分析.试验分析表明,抛光压力为0.2 MPa,抛光液流量为500 mL/min,抛光盘转速为50 r/min,磨料质量分数为20%,氧化剂体积分数为0.3%时,可以得到较高的抛光速率,为740 nm/min.

关键词：硬盘NiP基板、化学机械抛光、碱性抛光液、抛光速率、正交试验

所属期刊栏目：35

分类号：TN305.2;TN304.21(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;高等学校博士学科点专项科研基金;河北省教育厅科研项目;天津市自然科学基金

在线出版日期：2010-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：753-756