期刊专题

10.3969/j.issn.1003-353x.2010.06.022

GaAs MIM电容模型

引用
阐述了无源元件在MMIC设计中的重要性及MIM电容模型参数提取的几种方法.以简化的MIM电容等效电路为基础,通过IC-CAP建模软件,建立平板电容的等效模型模拟其电学特性.根据实测数据提取相关模型参数,同时与实际测试的MIM电容值进行对比,对ADS元件库中电容模型的关键参数做了修改和验证.经过在GaAs工艺线实际流片统计、验证,该模型在40 GHz以下实测的S参数与电磁仿真结果基本吻合,平板电容的误差控制在3%以内,可用于40 GHz以下CaAs MMIC的电路设计和仿真.

砷化镓MMIC、模型、MIM电容、IC-CAP

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TN304.23;TM53(半导体技术)

2010-08-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

607-609,613

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

35

2010,35(6)

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