一种GaAs基HEMT低噪声放大器的设计实现

摘要：

采用GaAs标准高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺设计了一种低噪声放大器.放大器由4级4指双栅槽结构HEMT器件级联构成.0.25μm栅线条的选用保证器件有低的噪声系数和较高的增益.通过在HEMT的源极串联电感和选择MIM电容微带线实现了放大器输入级、中间级、输出级之间的最佳匹配网络.芯片测试结果表明,所设计低噪声反放大器在34 GHz频率下的小信号增益大于22 dB,噪声系数小于1.8 dB,具有10 dBm的饱和输出功率且线性度较好.该设计方法实现了低噪声、高增益、低功耗放大器的性能要求.

关键词：高电子迁移率晶体管、低噪声放大器、阻抗匹配、微带线

所属期刊栏目：35

分类号：TN454(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：甘肃省科技支撑计划090CKCA052

在线出版日期：2010-08-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：594-597