一种提高双向1 A可控硅触发灵敏度的工艺方法

摘要：

为了保证双向可控硅的导通性能,需要其四个导通状态的触发电流,IGT1,IGT2,IGT3和IGT4的大小尽可能地接近,尽可能地灵敏.采用目前国内常规工艺在,IGT3小于5 mA,IGT4小于7 mA时,器件的VDRM和VRRM会低于600 V甚至400 V,致使产品无法正常使用及满足客户的需求.提出了一种改进工艺,通过采用光刻补B区,局部补适当浓B并且采用P扩后补B的方法,提高了注入电流的有效占比,使相同的P扩条件下IGT减小,触发灵敏度提高.该工艺所生产的产品的触发电流均匀性好,触发灵敏度高,通态压降低,使该产品稳定性好,通用性强,使用过程中发热量小.此工艺技术简单实用,操作方便,效果明显,产品的主要性能参数在同行中处于国际领先水平.

关键词：双向可控硅、触发灵敏度、局部补硼、磷扩散

所属期刊栏目：35

分类号：TN342.3(半导体技术)

在线出版日期：2010-08-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：573-576