超深亚微米IC的宇宙射线辐射软失效研究

摘要：

辐射引起的软失效一直是影响半导体可靠性的一个重大问题.特别是宇宙射线引起的在地球表面的高能中子,由于其特有的高穿透性很难有效屏蔽防护.介绍了其造成半导体器件软失效的失效机理,并利用加速软失效测试模型分别对90,65和45nm工艺的随机静态存储器的软失效率进行了分析,研究了该类中子造成的软失效率的影响因素及相关规律.据此预测了更高工艺技术产品的中子软失效率,在为芯片设计和制造阶段就对中子辐射可靠性的防护提供了一定的参考和依据.

关键词：宇宙射线、中子、软失效、单粒子翻转

所属期刊栏目：35

分类号：TN406(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2010-08-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：555-559