RIE对Ge衬底上制备亚波长结构形貌的影响

摘要：

利用反应离子刻蚀(RIE)技术在Ge衬底上制备宽波段亚波长结构,研究了不同SF6/O2比例条件下在不同刻蚀时间、压强和射频功率对结构形貌及刻蚀深度的影响,并用SEM对刻蚀图形的表面形貌进行了观察.结果表明,SF6易与衬底发生反应,生成挥发性产物,加速了刻蚀速度.O2的加入生成的钝化膜会增强各向异性刻蚀,减慢了刻蚀速度,对衬底有刻蚀保护作用.增加压强可以增大刻蚀深度,但增加射频功率,刻蚀深度先是增加,达到一定值后下降.选择合适的工艺参数可以获得较为理想的金字塔形结构.

关键词：反应离子刻蚀、亚波长结构、挥发性产物、钝化膜、各向异性

所属期刊栏目：35

分类号：TN304.11;TN405.983(半导体技术)

资助基金：航空科学基金2008ZE53043

在线出版日期：2010-08-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：527-530