Si深刻蚀光助电化学方法的研究

摘要：

光助电化学刻蚀技术是目前获取高深宽比微纳结构的重要方法之一.由于其制作成本低、三维结构形貌可光控实现而受到重视.从实际应用出发,对Lehmann光照模型和电流密度经验公式进行了修正,并从理论和实验上研究了光照对电化学刻蚀过程和结构形貌的影响.着重分析了光照红移带来的正面效果和负面影响.理论分析和实验均证明,采用提出的修正模型,可以方便地实现对厚度为400～500μm的Si片深刻蚀,并可在刻蚀深度为150μm的情况下,实现壁厚在0.2μm到数微米的控制,Si片刻蚀面的直径可达5英寸(125 mm)或更大.为该技术的实现提供了修正的理论模型和实用化的工艺技术.

关键词：光照、电化学刻蚀、扩散、n型硅

所属期刊栏目：35

分类号：TN305.7;O657.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;广东省高等学校创新团队项目;深圳市科技计划基础研究项目

在线出版日期：2010-08-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：517-521