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10.3969/j.issn.1003-353x.2010.05.022

低温漂高PSRR新型带隙基准电压源的研制

引用
利用带隙电压基准的基本原理,结合自偏置共源共栅电流镜以及适当的启动电路,设计了一种新型基准电压源.获得了一个低温度系数、高电源抑制比的电压基准.通过对输出端添加运算放大器,把带隙基准电路产生的1.2V电压提高到3.5V,提高了芯片性能.用Cadence软件和CSMC的0.5μm CMOS工艺进行了仿真,结果表明,当温度在-20~120℃,温度系数为9.3 × 10-6/℃,直流时的电源抑制比为-82 dB.该基准电压源能够满足开关电源管理芯片的使用要求,并取得了较好的效果.

基准电压源、自偏置、共源共栅、温度系数、电源抑制比

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TN432(微电子学、集成电路(IC))

兰州市科技发展计划2009-1-1

2010-06-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

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2010,35(5)

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