基于GaAs PIN二极管的宽带大功率单片单刀双掷开关

摘要：

GaAs PIN二极管具有开态电阻小、截止频率高以及功率容量大的特点,采用GaAs PIN 二极管制作的开关插入损耗较小、隔离度较高、并且功率的线性较好.基于河北半导体研究所GaAs PIN工艺制造了一款单刀双掷开关芯片.该开关采用单级并联结构.通过微波在片测试,在小信号条件下,6～18 GHz范围内插入损耗小于1.45 dB、隔离度大于28 dB,输入输出反射损耗小于7.5 dB.把开关装入夹具中进行功率特性测试,在连续波输入功率37 dBm,12 GHz条件下测试输出功率仅压缩0.5 dB,具有非常好的功率特性.在4英寸(100 mm)晶圆上开关的成品率较高,具有非常好的工程应用前景.

关键词：大功率、宽带、单刀双掷、砷化镓、PIN二极管

所属期刊栏目：35

分类号：TN312.4;TN304(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）2009CB320200

在线出版日期：2010-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：495-498