1.9～5.7 GHz宽带低噪声BiCMOS LC VCO

摘要：

设计了一种宽带、低相位噪声差分LC压控振荡器(VCO).所设计的电路采用开关电容阵列和开关电感,实现了多波段振荡输出.对负阻环节跨导进行了优化设计,将热噪声控制在最小范围内,同时采用高品质因数片上螺旋电感,以减小电路的噪声干扰.采用台积电(TSMC)0.35μm SiGe BiCMOS工艺制作了流片,并进行了仿真和硬件电路实验.实测结果表明,当调谐电压为0～3.3 V时,可设定VCO工作在6个波段(1.9～2.1 GHz,2.1～2.4 GHz,2.4-3.0 GHz,3.0～3.4 GHz,3.4～4.2 GHz,4.2～5.7 GHz),此6波段连续可调,构成了1.9～5.7 GHz宽带VCO;VCO的中心频率为2.4 GHz、偏离中心频率为1MHz时实测相位噪声为-111.64 dBc/Hz;在3.3 V电源电压下实测核静态电流约为1.8 mA,从而验证了宽带、低噪声BiCMOS LC VCO设计方案之正确性.

关键词：锗硅双极互补金属氧化物半导体模拟集成电路、LC压控振荡器、宽带、相位噪声

所属期刊栏目：35

分类号：TN752(基本电子电路)

资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）2006AA10Z258

在线出版日期：2010-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：473-477