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10.3969/j.issn.1003-353x.2010.05.014

电阻率对电容法测Si片厚度的影响

引用
在对电容法测量Si片厚度的原理分析基础上,根据电阻率与介质介电常数ε的对应关系,分析了用电容法测试Si片厚度时,电阻率及电阻率均匀性对测试结果的影响,并采用千分尺(有接触测试)、ADE6034及Wafer Check 7000(电容法测试)分别对不同电阻率及电阻率均匀性的样品进行测试比对.实验结果证明,电容法可以测量高电阻率Si片的厚度等几何参数,但不能测量电阻率均匀率较差的Si片.同时,校正电容法测量设备时,以校正样片电阻率与被测Si片电阻率范围接近为原则.

电阻率、电容法、厚度测试、电介质常数、影响

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TN304.07(半导体技术)

2010-06-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

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2010,35(5)

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