10.3969/j.issn.1003-353x.2010.05.014
电阻率对电容法测Si片厚度的影响
在对电容法测量Si片厚度的原理分析基础上,根据电阻率与介质介电常数ε的对应关系,分析了用电容法测试Si片厚度时,电阻率及电阻率均匀性对测试结果的影响,并采用千分尺(有接触测试)、ADE6034及Wafer Check 7000(电容法测试)分别对不同电阻率及电阻率均匀性的样品进行测试比对.实验结果证明,电容法可以测量高电阻率Si片的厚度等几何参数,但不能测量电阻率均匀率较差的Si片.同时,校正电容法测量设备时,以校正样片电阻率与被测Si片电阻率范围接近为原则.
电阻率、电容法、厚度测试、电介质常数、影响
35
TN304.07(半导体技术)
2010-06-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
469-472