非接触半绝缘SiC电阻率测试

摘要：

半绝缘碳化硅单晶(SI-SiC)是非常具有吸引力的大功率电子器件衬底材料,目前已越来越多地引起了人们的重视.其晶片电阻率的测试一直是一个难题.介绍了一种非接触电阻率测试方法,可以有效地解决这一难题.该方法利用电容充放电原理.首先对样品进行瞬时充电,再利用仪器实时检测放电过程中的总电量,从而得到其变化的弛豫曲线,之后对该曲线进行数学分析得到弛豫时间τ,最后利用弛豫时间τ计算出半绝缘碳化硅单晶的电阻率.实际测试时,先将晶片表面划分为若干等面积的小区域,再利用仪器逐个测试这些区域的电阻率,最后将所有电阻率的数据处理成一张电阻率分布图.该方法对半绝缘材料的研究工作具有积极的指导作用.

关键词：半绝缘碳化硅、电阻率、图像化、非接触测试方法、弛豫曲线

所属期刊栏目：35

分类号：TN707(基本电子电路)

在线出版日期：2010-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：462-464