抗辐射光电耦合器试验研究

摘要：

针对光电耦合器中使用的发光二极管(LED)进行了不同的方案设计,并对相关的光电耦合器进行了钴-60γ总剂量试验研究,比较了光电耦合器的主要参数--电流传输比辐照前后的变化,从而得到了优化的发光二极管设计.采用自主设计生产的发光管材料制作了发光二极管,同时利用中国电子科技集团公司第十三研究所研制的探测器、晶体管以及陶瓷管壳制作了光电耦合器.在4 mA偏置下,经过300 krad(Si)γ(辐照剂量率为50 rad(Si)/s)电离总剂量辐照后,电流传输比平均下降了31.5%,优于国外光电耦合器的已知水平.在抗辐射光电耦合器中,采用正装、小发散角结构的发光二极管可进一步提高其抗辐射性能.

关键词：光电耦合器、电离总剂量、发光二极管、电流传输比、抗辐射

所属期刊栏目：35

分类号：TN15(真空电子技术)

在线出版日期：2010-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：451-453