用于高亮LED的Si键合研究

摘要：

在Si和外延层之间使用一层薄金属层作为高效反射镜的所谓"镜面衬底",不但有助于提高芯片的出光效率,同时把键合温度降低到300℃以下.利用Au/In合金的方法,来实现用于高亮LED的Si片与AlGaInP四元外延片的键合.实验表明,在温度为250℃时,利用Au/In作为焊料,Si片与AlGaInP四元外延片可以实现比较好的键合,键合面可以达到60%.通过研磨减薄、X-ray测试和扫描电镜(SEM)测试得出键合面的界面特性,通过能谱分析得出键合面的物质分别为AuIn2和AuIn,实验测试得出此时Au的原子数占33.31%,In的原子数占36.64%.

关键词：硅键合、Au/In合金、AlGaInP外延片、发光二极管、镜面衬底

所属期刊栏目：35

分类号：TN305.96(半导体技术)

资助基金：江苏省科技计划;国家自然科学基金

在线出版日期：2010-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：436-439