ZnO:Ga透明电极LED的制备及性能分析

摘要：

基于本实验室的实验条件,采用射频磁控溅射、等离子干法刻蚀等技术成功制备出具有ZnO:Ga(GZO)透明电极的LED芯片.实验研究了相同工艺条件制备的ITO透明电极LED芯片和GZO透明电极LED芯片,对比实验结果表明GZO薄膜沉积工艺简单,其器件性能与ITO电极LED相当.相同条件下制备的GZO薄膜可见光波段透过率约90%,而ITO仅为75%.实验室制备的LED器件均具有较高的阈值电压,一方面p-GaN与ZnO的禁带宽度相差4.13 eV,接触势垒大,另一方面器件制备过程中的等离子体损伤薄膜表面和器件性能.

关键词：射频磁控溅射、掺锡氧化铟、透过率、电流扩散层、阈值电压

所属期刊栏目：35

分类号：O484;TN301(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金;新世纪优秀人才支持计划;上海市科技委员会科技攻关光电子专向

在线出版日期：2010-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：427-430,461