高击穿电压AlGaN/GaN HEMT电力开关器件研究进展

摘要：

作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,GaN材料在各个应用领域的研究工作都受到了高度的重视.概述了基于AlGaN/GaN HEMT结构的新型高压、高频、低损耗电力开关器件的最新研究进展.从器件的结构特征入手,详细介绍了改善器件击穿特性的途径、高频开关特性的研究情况、Si衬底上AlGaN/GaN HEMT结构材料的生长、增强型器件的制备技术和功率集成电路的研究等几个国际上的热点问题.最后,对该项研究面临的问题及未来的发展趋势做了展望.

关键词：AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管、电力电子器件、化合物半导体材料、异质结构

所属期刊栏目：35

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60806004

在线出版日期：2010-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：417-422