可工作于77 K低温下的CMOS缓冲器

摘要：

设计了用于制冷型红外读出电路系统的输出缓冲器,该缓冲器能在读出电路5MHz的读出速度下驱动约20pF的电容,可以在低温77K下工作.对运放的增益,频率特性等进行了详细地阐述,并考虑了低温77K时MOSFET参数的变化带来的影响.最后,给出了修改CMOS常温模型参数后的仿真结果,芯片采用0.35μm,3.3V CMOS工艺实现,并给出了77K下的测试结果,满足红外读出电路系统要求.

关键词：缓冲器、读出电路、阈值电压、低温

所属期刊栏目：35

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：中国科学院"百人计划"07EJ021001

在线出版日期：2010-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：407-410