低噪声高单位增益带宽双极型运放设计

摘要：

设计了一款低噪声、高单位增益带宽的运放电路.该款电路基于0.25μm SiGe双极工艺,采用三级级联的形式,输入级选取多个双极型晶体管(BJT)并联,用作差分对管,以抑制噪声;中间级不但用pnp型BJT镜像电流源作为有源负载,而且并联多个横向pnp型BJT用以提升单位增益带宽;输出级则设计成低电容输入和低电容输出方式,借此拓展带宽.对所设计的运放电路进行了PSPICE仿真及硬件电路实验.结果表明,当电源电压为2.5V时,运放电路的实测交流开环电压增益为80dB,开环相位裕度为61.5°,单位增益带宽为203kHz,在10kHz处的输入电压噪声密度仅为1.2Nv/Hz的平方根,因而可用于低噪声、高单位增益带宽的片上相位噪声测量电路和微波功率传感器等系统的设计中.

关键词：锗硅、双极型晶体管、三级级联运算放大器、低噪声、高单位增益带宽

所属期刊栏目：35

分类号：TN322;TN72(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）2006AAIOZ258

在线出版日期：2010-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：388-392