10.3969/j.issn.1003-353x.2010.04.016
空间太阳电池用超薄Ge单晶片的CMP技术
以Ge单晶抛光片为衬底的空间太阳电池在我国的应用已越来越多.目前,抛光后Ge单晶片的几何参数,尤其是表面状态常不能满足使用要求.介绍了超薄Ge衬底片抛光的工艺技术,开展了抛光压力、抛光盘转速与抛光去除速率的关系实验,对影响Ge单晶抛光片几何参数和表面质量的原因进行了分析和实验研究.工艺优化后抛光的产品完全满足了空间高效太阳电池的衬底的使用要求.
锗单晶片、抛光、空间太阳电池
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TN305.2(半导体技术)
2010-05-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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