纳米压印中残余胶刻蚀工艺研究

摘要：

压印光刻在图形转移之后,需要去除残留在凹槽底部的胶.采用RIE工艺对紫外压印胶的刻蚀速率进行了研究.结果表明,随着气压或气体流量增大,刻蚀速率均会先增加,达到一定值后又开始下降;在刻蚀气体中加入SF6后,会减少钻蚀,但刻蚀速率会有少许下降;而在刻蚀气体中加入少量SF6且压强及流量较大时,各部分的刻蚀速率一致性较好.由此得到了一个优化后的刻蚀条件,反应气体:O2+SF6,气体流量分别为 40cm3/min和 5cm3/min,压强9.31Pa,RF功率20W,此时刻胶速率可稳定在0.8μm/min左右,且均匀性较好.

关键词：纳米压印、反应离子刻蚀、去胶速率、正交试验

所属期刊栏目：35

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家重点实验室基金;上海市纳米专项

在线出版日期：2010-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：357-360