肖特基势垒二极管SiO2-Si3N4复合钝化膜研究

摘要：

对Si肖特基势垒二极管的钝化技术进行了研究.研究了不同淀积温度、气体流量、射频功率以及气体压力等工艺技术条件下,淀积PECVD SiO2和LPCVD Si3N4膜的介电强度E、介电常数εr、耐压V、针孔密度、漏电流I、内应力σ、片间均匀性以及片内均匀性等性能.研究了PECVD SiO2膜的增密技术.提出了一种应力小、漏电流小且抗辐照能力较好的PECVD SiO2/LPCVD Si3N4复合介质膜钝化工艺方法和技术条件,提高了肖特基势垒二极管的性能.

关键词：SiO2-Si3N4复合介质膜、钝化技术、漏电流、应力、增密

所属期刊栏目：35

分类号：TN3L(半导体技术)

在线出版日期：2010-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：344-348