高效率连续1 000 W半导体激光器叠层阵列

摘要：

采用低压MOCVD外延技术生长的GaInAs/AlGaAs应变量子阱大光腔结构材料结构设计,利用低压MOCVD外延技术生长了3英寸(75mm)激光器外延片,进而设计制作了976nm大功率低热阻连续激光器芯片.采用以及高热导率的无氧铜材料设计制作了大功率微通道热沉,采用In焊料芯片倒装烧结工艺,制作了976nm连续激光器阵列单条.在20℃水冷条件下,输入电流120A,工作电压1.51V,输出功率达到118W,电光功率转换效率约65%.将10只微通道阵列单条堆叠组装,制作了连续1000W微通道叠层阵列.在20℃水冷条件下,输入电流120A,输出功率达到1130W,工作电压1.45V,电光功率转换效率约65%.

关键词：应变量子阱、大光腔结构、微通道热沉、激光器叠层阵列、电光功率转换效率、串联电阻

所属期刊栏目：35

分类号：TN248(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2010-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：340-343