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10.3969/j.issn.1003-353x.2010.04.007

表面型静电感应晶闸管负阻导通特性的研究

引用
运用漂移- 扩散模型,对表面型静电感应晶闸管的导通特性进行了数值模拟.分析表明,表面型静电感应晶闸管(SITH)具有与纵向结构SITH类似的负阻导通特性,而且表面型结构的各电极相对面积比纵向结构要小很多,阴极和栅极之间的电容更小,从而具有更快的开关速度和更高的灵敏度.对表面型SITH的电势分布、载流子分布以及阳极I-V特性进行了深入地计算和分析.显示数值模拟结果十分接近实际测量结果,模拟中也发现栅极的位置对栅极的控制性能的影响很大.

静电感应晶闸管、表面型、双注入效应、势垒、鞍点

35

TN386.7(半导体技术)

青年教师科研专项gid-07037

2010-05-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

325-328

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

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2010,35(4)

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