基于表面势的HEMT模型分析

摘要：

将表面势的概念引入GaAs高电子迁移率晶体管器件结构,以建立可精确描述HEMT器件输入/出特性的新模型.通过分析最基本的HEMT构,参考Si基MOSFET中Pao-sah模型的分析方法,对沟道电荷利用泊松方程表述,并结合能带电压关系,建立HEMT器件中表面势(ΦS)对于栅压(VGS)的关系.基于上述分析计算了沟道中电子的饱和点.根据推导所得方程,模型计算得到的某具体器件沟道面电荷密度(ns)-栅压(VGS)关系曲线和基于T-CAD工具仿真结果在线性区得到很好的吻合.

关键词：高电子迁移率管晶体管、表面势、泊松方程、Pao-sah模型

所属期刊栏目：35

分类号：TN604(电子元件、组件)

资助基金：国家自然科学基金;所砷化镓微波毫米波单片和模块电路国防重点实验室基金

在线出版日期：2010-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：320-324